TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB

Wynik ogólny

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Wynik ogólny

Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

3 17.2

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

870.4 14.2

Średnia wartość w badaniach

Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB

Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

29 87

Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

21300 5300

Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB

Główna charakterystyka

Typ pamięci

DDR2 DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns

87 29
Prędkość odczytu, GB/s

3,155.6 17.2
Prędkość zapisu, GB/s

870.4 14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps

5300 21300

Other

Opis

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 667 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

417 3461

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Najnowsze porównania

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB

G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N

Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB

Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB

Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB

Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB

Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB

Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB

Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB

Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB