RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
87
Wokół strony -248% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
4039
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link