RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
8.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
87
Wokół strony -295% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2633
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link