RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
8.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
87
Около -295% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
22
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
16.1
Скорость записи, Гб/сек
870.4
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
2633
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link