RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
9.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
73
87
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
73
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
1843
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link