RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
77
Wokół strony -305% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
19
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3165
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link