RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
53
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
45
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
2841
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link