RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
53
Wokół strony -121% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
2925
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingston ACR256X64D3U1333C9 2GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link