RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
43
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
38
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
3005
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link