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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
比较
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
总分
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
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规格
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
43
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
38
读取速度,GB/s
11.4
15.0
写入速度,GB/s
7.7
12.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1823
3005
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
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Corsair VS2GB1333D4 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
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