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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
43
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
11.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
38
Velocidad de lectura, GB/s
11.4
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.7
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1823
3005
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
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