RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Porównaj
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
35
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.5
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2180
2559
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link