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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Comparar
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
35
Por volta de 29% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
12.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.0
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
35
Velocidade de leitura, GB/s
12.5
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
10.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2180
2559
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
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