RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
96
Wokół strony -284% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
25
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
3680
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Nanya Technology NT4GC64B88B0NF-DI 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link