RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
96
Wokół strony -269% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
26
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
2437
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link