RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
96
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
45
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
3027
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link