RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
96
Wokół strony -220% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
3372
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
AMD R538G1601U2S-UGO 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link