RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
96
Wokół strony -317% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
4173
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link