RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
96
Wokół strony -243% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
3519
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link