RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
96
Wokół strony -231% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.8
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
18.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
4112
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
AMD R744G2133U1S 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link