RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
96
Wokół strony -256% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
2323
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link