RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
96
99
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.3
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
99
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
1358
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link