RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
96
Wokół strony -336% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
2388
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link