RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
49
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
49
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1381
2413
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB Porównanie pamięci RAM
AMD R334G1339U2S 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link