RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
71
Wokół strony -223% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
4116
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link