RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
71
Около -223% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.3
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.2
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
22
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
20.3
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
4116
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link