RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Comparar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
71
Por volta de -223% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.3
2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.2
1,322.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
71
22
Velocidade de leitura, GB/s
2,831.6
20.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,322.6
17.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
399
4116
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
INTENSO 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link