RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Porównaj
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
32
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
14.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
32
Prędkość odczytu, GB/s
14.1
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2354
3726
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KF556C40-16 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link