RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Porównaj
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
33
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
14.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
33
Prędkość odczytu, GB/s
14.1
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2354
2478
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KF556C40-16 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR3-1600 CL10 8GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link