RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Porównaj
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
68
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
68
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1853
1812
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link