RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Porównaj
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
48
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
48
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2051
2568
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link