RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Comparar
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
35
Por volta de 23% menor latência
Razões a considerar
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
35
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
10.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2181
2768
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338C
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link