RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Comparar
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs AMD R7S44G2606U1S 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Pontuação geral
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
18.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
52
Por volta de -160% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
1,145.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
4200
Por volta de 5.07 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
20
Velocidade de leitura, GB/s
2,614.5
18.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,145.9
14.3
Largura de banda de memória, mbps
4200
21300
Other
Descrição
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
409
2707
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link