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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
11.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
52
Por volta de -63% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.6
1,145.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
4200
Por volta de 4.57 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
32
Velocidade de leitura, GB/s
2,614.5
11.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,145.9
7.6
Largura de banda de memória, mbps
4200
19200
Other
Descrição
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
409
2292
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparações de RAM
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Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB Comparações de RAM
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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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