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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
总分
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
52
左右 -63% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.6
1,145.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
4200
左右 4.57 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
32
读取速度,GB/s
2,614.5
11.3
写入速度,GB/s
1,145.9
7.6
内存带宽,mbps
4200
19200
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
409
2292
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM的比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB RAM的比较
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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
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