RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Comparar
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
10
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
52
Por volta de -49% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.0
1,145.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
4200
Por volta de 4.57 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
35
Velocidade de leitura, GB/s
2,614.5
10.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,145.9
7.0
Largura de banda de memória, mbps
4200
19200
Other
Descrição
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
409
2068
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link