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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
总分
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
10
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
52
左右 -49% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.0
1,145.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
4200
左右 4.57 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
35
读取速度,GB/s
2,614.5
10.0
写入速度,GB/s
1,145.9
7.0
内存带宽,mbps
4200
19200
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
409
2068
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
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