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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
52
Por volta de -100% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
1,145.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
4200
Por volta de 4.57 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
26
Velocidade de leitura, GB/s
2,614.5
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,145.9
11.8
Largura de banda de memória, mbps
4200
19200
Other
Descrição
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
409
2382
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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