RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сравнить
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
52
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
1,145.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
4200
Около 4.57 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
26
Скорость чтения, Гб/сек
2,614.5
15.6
Скорость записи, Гб/сек
1,145.9
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
19200
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
409
2382
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Kingston 9905428-401.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link