RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Comparar
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Pontuação geral
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
52
65
Por volta de 20% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
1,145.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
4200
Por volta de 4.05 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
65
Velocidade de leitura, GB/s
2,614.5
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,145.9
8.5
Largura de banda de memória, mbps
4200
17000
Other
Descrição
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
409
1932
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link