RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Comparar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Pontuação geral
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,061.2
13.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
46
Por volta de -109% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
22
Velocidade de leitura, GB/s
4,937.3
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,061.2
13.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
759
3182
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link