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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Comparar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Pontuação geral
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
56
Por volta de 18% menor latência
Razões a considerar
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.3
4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.7
2,061.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
56
Velocidade de leitura, GB/s
4,937.3
9.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,061.2
7.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
759
2200
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
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Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
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Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
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