RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
56
Около 18% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
9.3
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
2,061.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
56
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
9.3
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2200
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Mushkin 991586 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link