RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
56
Intorno 18% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.3
4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.7
2,061.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
56
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
2200
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Corsair CMZ4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link