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AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
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AMD AE34G1601U1 4GB vs Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Pontuação geral
AMD AE34G1601U1 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
AMD AE34G1601U1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
67
95
Por volta de 29% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
6.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.3
3.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
67
95
Velocidade de leitura, GB/s
6.8
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
3.6
7.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
998
1518
AMD AE34G1601U1 4GB Comparações de RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
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AMD R748G2606U2S 8GB
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