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AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
67
95
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.3
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
95
读取速度,GB/s
6.8
15.8
写入速度,GB/s
3.6
7.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
1518
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
G Skill Intl F3-1600C9-8GXM 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
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