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AMD R538G1601U2S 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Comparar
AMD R538G1601U2S 8GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Pontuação geral
AMD R538G1601U2S 8GB
Pontuação geral
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
AMD R538G1601U2S 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
30
Por volta de 37% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.4
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
6.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
AMD R538G1601U2S 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
19
30
Velocidade de leitura, GB/s
18.4
11.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.3
6.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3189
1832
AMD R538G1601U2S 8GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
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