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AMD R538G1601U2S 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
比较
AMD R538G1601U2S 8GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
总分
AMD R538G1601U2S 8GB
总分
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
30
左右 37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
6.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
19
30
读取速度,GB/s
18.4
11.7
写入速度,GB/s
12.3
6.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3189
1832
AMD R538G1601U2S 8GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
AMD R538G1601U2S 8GB
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
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