RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Comparar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Pontuação geral
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
26
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.6
12.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
19.4
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
24
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
21.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
19.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2174
4250
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link