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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Comparar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Pontuação geral
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Pontuação geral
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
49
Por volta de 47% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.6
10.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
8.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
49
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
10.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
8.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2174
2413
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
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Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
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